Semiconductor d'hòsties de silici FZ
Descripció L'hòstia de silici FZ és un tipus d'hòstia de silici d'alta puresa que s'utilitza habitualment a la indústria dels semiconductors. FZ significa Float Zone, que és un mètode per cultivar silici monocristal. Durant el procés FZ, una vareta de silici està suspesa verticalment en un forn d'alta temperatura i...
Descripció
Descripció
La hòstia de silici FZ és un tipus d'hòstia de silici d'alta puresa que s'utilitza habitualment a la indústria dels semiconductors. FZ significa Float Zone, que és un mètode per cultivar silici monocristal.
Durant el procés FZ, una vareta de silici es suspèn verticalment en un forn d'alta temperatura i es crea una zona fosa escalfant una petita secció de la vareta. La zona fosa es mou al llarg de la vareta i, a mesura que es refreda, es solidifica en un sol cristall. El procés es repeteix diverses vegades fins que tota la longitud de la vareta s'ha convertit en un únic cristall.
Les hòsties de silici FZ tenen un nivell de puresa molt alt, amb nivells d'impureses normalment inferiors a una part per mil milions. Aquesta puresa els fa ideals per utilitzar-los en dispositius electrònics d'alt rendiment, com ara microprocessadors, xips de memòria i cèl·lules solars. Les hòsties FZ també s'utilitzen en la investigació científica i en la producció de sensors i detectors d'alt rendiment.
Especificació
| Diàmetre | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" |
| Mètode de creixement | FZ | |||||
| Orientació | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > | |||||
| Tipus/Dopant | Intrínsec, tipus N/Fos, tipus P/bor | |||||
| Gruix (um) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| Tolerància al gruix | Estàndard ± 25um | ± 50um | ||||
| Resistivitat (Ohm-cm) | 1000-20000, Maximum Capabilities>20000 i 1-5 | |||||
| Superfície acabada | P/E , P/P, E/E, G/G | |||||
| TTV (um) | Estàndard< 10 um | |||||
| Arc/ordit (um) | Estàndard<40 um | |||||
Etiquetes populars: Semiconductor d'hòsties de silici fz
Enviar la consulta
Potser també t'agrada