Hòstia simulada Hòstia de silici
L'embalatge de les hòsties de silici està dissenyat acuradament per garantir que siguin d'alta qualitat i es puguin transportar de manera segura i fiable a les destinacions previstes.
Descripció
Descripció
Les hòsties monocristal·lines solen tenir un diàmetre de 125 mm o 156 mm i tenen un gruix d'uns 200 micres. Sovint es tallen amb una orientació específica, com els plànols (100) o (111), segons l'ús previst.
Algunes de les característiques clau de les hòsties monocristal·lines inclouen la seva alta puresa, estructura de cristall uniforme i baixa densitat de defectes. Aquestes característiques els fan ideals per utilitzar-los en dispositius electrònics que requereixen alta precisió i fiabilitat, com ara microprocessadors, xips de memòria i cèl·lules solars.
Especificació
|
nom del producte |
Hòstia de silici de tipus N/P intrínsec |
|
Mida |
2/3/4/5/6/8/12 polzades |
|
Orientació |
100 110 111 |
|
Gruix (mm) |
525 més /-25 μm o personalitzat |
|
Superfície |
polit |
|
Partícules |
<30 at 0.3um |
|
resistivitat |
0.001-10000 Ω.cm |
|
Angle |
30 graus 60 graus 90 graus |
|
Aplicació |
Semiconductor |
|
Creixement |
FZ |
|
Tipus |
tipus N i tipus P |
|
Grau |
Primer |
Podem personalitzar tot tipus de substrat de transmitància alta.
1 High purity :SiO2>99,99 per cent.
2 Temperatura de funcionament: 1250 graus; Temperatura suavitzada: 1730 graus.
3 Excel·lent rendiment visual i químic: resistència a l'àcid, resistència als àlcalis, bona estabilitat tèrmica
4 Cura de la salut i protecció del medi ambient.
5 Sense bombolla d'aire ni línia d'aire.
6 Excel·lent aïllant elèctric.
Etiquetes populars: hòstia simulada hòstia de silici
Enviar la consulta
Potser també t'agrada
