Hòstia de silici CZ
Les hòsties de silici CZ s'utilitzen habitualment a la indústria dels semiconductors com a substrats per a la fabricació de circuits integrats, microprocessadors i altres dispositius electrònics. Són apreciats per la seva alta puresa, baixa densitat de defectes i excel·lents propietats elèctriques.
Descripció
Descripció
Una hòstia de silici CZ és un tipus d'hòstia de silici que es fabrica mitjançant el mètode Czochralski (CZ), que és un mètode popular per fer créixer cristalls individuals de silici. El mètode CZ consisteix a fondre silici d'alta puresa en un gresol i després treure lentament un cristall de llavors de la fosa mentre gira el gresol i el cristall de llavors en direccions oposades.
A mesura que el cristall de llavors s'extreu de la fusió, fa que el silici es solidifiqui en forma cilíndrica al voltant del cristall de llavors. Aquest procés dóna com a resultat un únic cristall de silici que està lliure de defectes i té un alt grau de puresa.
Especificació
| Diàmetre | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" | 12" |
| Grau | Primer | ||||||
| Mètode de creixement | CZ | ||||||
| Orientació | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 > | ||||||
| Tipus/Dopant | Tipus P/Boron, Tipus N/Fos, Tipus N/As, Tipus N/Sb | ||||||
| Gruix (μm) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 | 775 |
| Tolerància al gruix | Estàndard ± 25μm, capacitats màximes ± 5μm | ± 20μm | ± 20μm | ||||
| Resistivitat | 0.001 - 100 ohm-cm | ||||||
| Superfície acabada | P/E , P/P, E/E, G/G | ||||||
| TTV (μm) | Estàndard< 10 um, Maximum Capabilities <5 um | ||||||
| Arc/ordit (?m) | Estàndard<40 um, Maximum Capabilities <20 um | <40μm | <40μm | ||||
Etiquetes populars: cz hòstia de silici
Enviar la consulta
Potser també t'agrada
