Silici metall en pols per a circuits integrats

Els grans de cristall de silici i els circuits metàl·lics es poden fabricar a partir de pols de silici metàl·lic mitjançant deposició química de vapor o deposició física de vapor, millorant així l'eficiència de fabricació dels circuits integrats.

El cost de fabricació relativament baix de la pols de silici metàl·lic pot reduir el cost de fabricació d'IC.

En el procés de fabricació de transistors, la pols de silici metàl·lic s'ha de barrejar amb altres materials i, a continuació, l'estructura del transistor s'imprimeix a la superfície del xip mitjançant fotolitografia.

El principi de la pols de silici metàl·lic que es pot utilitzar per fabricar circuits integrats és que té una gran puresa, resistència a la calor, resistència a la corrosió, conductivitat elèctrica, alta resistència i altres propietats excel·lents, pot preparar grans de cristall de silici i diverses formes de components de circuits integrats, per millorar el rendiment i l'eficiència de fabricació dels circuits integrats, reduir els costos de fabricació i tenir una àmplia gamma de perspectives d'aplicació.

P: Quins són els teus avantatges?
R: Som fabricants i tenim equips professionals de producció i processament i vendes. La qualitat es pot garantir. Tenim una gran experiència en el camp dels ferroaliatges.

P: Quina és la vostra capacitat de producció i data de lliurament?
R: 3000MT/mes i enviat en 20 dies després del pagament.

P: El preu és negociable?
R: Sí, no dubteu a contactar amb nosaltres en qualsevol moment si teniu cap pregunta. I per als clients que volen ampliar el mercat, farem tot el possible per donar-li suport.

Etiquetes populars: pols de silici metàl·lic per a circuits integrats