Carbur de silici/SiC en minerals i metal·lúrgia

Carbur de silici (SiC)és un compost de silici i carboni, amb fórmula química SiC. És un semiconductor de banda ampla, el que significa que té una bretxa d'energia més gran entre les bandes de valència i conducció que els semiconductors tradicionals com el silici, el que el fa adequat per a aplicacions d'alta potència, alta freqüència i alta temperatura.

Carbur de silici (SiC)existeix en diversos politips, incloent alfa-SiC, beta-SiC i cúbic SiC. Cada politip té propietats físiques i electròniques diferents, i les seves propietats es poden modificar encara més introduint impureses de dopatge al material.

Carbur de silici (SiC)s'utilitza en una varietat d'aplicacions, inclòs com a material abrasiu en eines de tall i moles, en aplicacions d'alta temperatura com ara components de forn i elements de calefacció, en dispositius electrònics com transistors i díodes d'alta potència i en detectors de radiació. Les seves propietats de banda ampla el fan especialment adequat per al seu ús en electrònica de potència d'alta tensió i alta freqüència, que s'utilitza en aplicacions com ara vehicles elèctrics i sistemes d'energies renovables.