Tecnologia de fabricació de carbur de silici
Forma: forma de grumoll/pols
Pols de carbur de silici per a refractaris
Descripció
Descripció
El carbur de silici (SiC) és un material popular al món de l'electrònica a causa de les seves propietats físiques i químiques superiors. S'utilitza en la fabricació de components electrònics com ara MOSFET, díodes i mòduls de potència.
La fabricació de SiC és un procés complex que requereix experiència i equips específics. El mètode més comú utilitzat per a la producció de SiC és el procés Acheson, que consisteix a escalfar una barreja de coc i sorra en un forn resistent elèctricament. La reacció dóna lloc a la formació de cristalls de SiC que després són triturats i classificats en funció de la seva mida i qualitat.
Un altre mètode utilitzat per a la fabricació de SiC és el procés de deposició química de vapor (CVD). Aquest mètode implica la reacció entre gasos reactius com el silà (SiH4) i el metà (CH4) en una cambra de buit. La reacció produeix una capa de SiC sobre un substrat com una hòstia de silici.
Especificació
| Model | Component percentatge | |||
| 60# | Sic | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 màx |
| 70# | 65 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 màx |
| 75# | 70 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 màx |
| 80# | 75 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 màx |
| 85# | 80 min | 3-6 | 3,5 màx | |
| 90# | 85 min | 2,5 màx | 3,5 màx | |
| 95# | 90 min | 1.0màx | 1,2 màx | |
| 97# | 95 min | 0,6 màx | 1,2 màx | |
En els darrers anys, la tecnologia de fabricació de SiC ha avançat amb la introducció de nous mètodes de creixement de cristalls de SiC, com ara els processos PVT (transport físic de vapor) i HTCVD (deposició de vapor químic tèrmic de paret calenta). Aquests processos permeten la producció de cristalls de SiC més grans i uniformes amb menys defectes en comparació amb el procés Acheson.
La indústria de fabricació de SiC continua creixent a causa de la creixent demanda de dispositius electrònics que requereixen alta potència, alta temperatura i rendiment d'alta freqüència. L'ús de components de SiC pot abordar aquestes demandes reduint les pèrdues d'energia, augmentant l'eficiència i reduint la mida i el pes.
En conclusió, la tecnologia de fabricació de SiC és un component crucial de la indústria electrònica. Amb els avenços en els mètodes de creixement de cristalls de SiC, podem esperar que la producció de components de SiC continuï creixent en els propers anys. Això donarà lloc a dispositius electrònics més eficients i més adequats per a entorns d'alta potència i alta temperatura.
PMF
P: Com controleu la qualitat dels productes?
R: Tenim el nostre propi laboratori amb un dispositiu de prova avançat. Els productes seran inspeccionats estrictament abans de l'enviament, per garantir que la mercaderia estigui qualificada.
P: Fabriqueu mides especials?
R: Sí, podem fer peces segons el vostre requisit.
P: En tens algun en estoc i quin és el termini de lliurament?
R: Tenim un estoc a llarg termini per satisfer els requisits dels clients. Podem enviar la mercaderia en 7 dies i els productes personalitzats es poden enviar en 15 dies.
P: Quin és el MOQ de la comanda de prova?
R: Sense límit, podem oferir els millors suggeriments i solucions segons la vostra condició.
Etiquetes populars: tecnologia de fabricació de carbur de silici
Enviar la consulta
Potser també t'agrada
