Carbur de silici sobre semiconductors de banda ampla
El carbur de silici es considera un semiconductor de banda ampla a causa del seu gran interval d'energia (aproximadament 3,0 eV per al politip hexagonal comú). Aquesta propietat li permet suportar tensions i temperatures més elevades en comparació amb els semiconductors convencionals basats en silici.
Descripció
Descripció
El carbur de silici (SiC) és àmpliament reconegut com un material semiconductor de banda ampla.
Especificació
|
Carbur de silici negre(Els productes poden serpersonalitzat)
|
||||||
|
Propòsit
|
Especificació
|
Composició química (percentatge)
|
Contingut màxim de material magnètic (percentatge)
|
|||
|
SIC-min
|
FC-màx
|
Fe2O3-màx
|
||||
|
Grau d'abrasius
|
Gra
|
12-80
|
98
|
0.20
|
0.6
|
0.0023
|
|
90-150
|
97
|
0.30
|
0.8
|
0.0021
|
||
|
180-220
|
97
|
0.30
|
1.2
|
0.0018
|
||
|
Micropols
|
240-4000
|
96
|
0.35
|
1.35
|
-
|
|
|
Grau refractari
|
Mida del grup
（mm)
|
0-1
|
97
|
0.35
|
1.35
|
-
|
|
1-3
|
||||||
|
3-5
|
||||||
|
5-8
|
||||||
|
Pols fina
(malla)
|
-180
|
97
|
0.35
|
1.35
|
-
|
|
|
-200
|
||||||
|
-240
|
||||||
|
-320
|
||||||
|
Color
|
Negre
|
|||||
|
Duresa (mohs)
|
9.15
|
|||||
|
Punt de fusió (grau)
|
2250
|
|||||
|
Temperatura màxima de servei (graus)
|
1900
|
|||||
|
Densitat de Turó (g/cm3)
|
3.9
|
|||||
Aquí teniu una mica d'informació sobre SiC com a semiconductor de banda ampla:
- Energia de banda ampla: el carbur de silici té una energia de banda intercalada significativament més àmplia en comparació amb els semiconductors tradicionals com el silici. El bandgap de SiC oscil·la entre aproximadament 2,2 i 3,3 electronvolts (eV), depenent de l'estructura del cristall i el politip.
- Alta tensió de ruptura: l'ampli interval de banda de SiC permet capacitats d'alta tensió de ruptura. Els dispositius basats en SiC poden suportar camps elèctrics més alts abans de patir una avaria, cosa que els fa adequats per a aplicacions d'alta tensió.
- Funcionament a alta temperatura: l'ampli marge de banda del carbur de silici també permet un funcionament a alta temperatura. Els dispositius SiC poden mantenir el seu rendiment i fiabilitat a temperatures elevades, cosa que els fa adequats per a aplicacions que experimenten càrregues tèrmiques elevades.
- Conversió d'energia eficient: l'ampli marge de banda de SiC, combinat amb la seva excel·lent conductivitat tèrmica i la seva baixa resistència a l'encesa, permet una conversió d'energia més eficient en comparació amb els dispositius tradicionals basats en silici. Els dispositius electrònics de potència basats en SiC, com ara díodes, MOSFET i IGBT (transistors bipolars de porta aïllada), ofereixen pèrdues de potència reduïdes, freqüències de funcionament més altes i una eficiència energètica millorada.
- Velocitats de commutació més ràpides: l'ampli interval de banda i l'alta mobilitat d'electrons de SiC donen lloc a velocitats de commutació més ràpides per als dispositius basats en SiC. Els dispositius SiC es poden encendre i apagar més ràpidament, permetent freqüències de commutació més altes.
- Àmplia gamma d'aplicacions: les propietats de semiconductors amplis bandgap de SiC el fan adequat per a diverses aplicacions. S'utilitza habitualment en l'electrònica de potència, incloses les transmissions de vehicles elèctrics (EV), sistemes d'energia renovable (com ara inversors solars i eòlics), accionaments de motors industrials i aplicacions de commutació d'alta freqüència.
Les propietats dels semiconductors amplis bandgap del carbur de silici li permeten superar els semiconductors tradicionals basats en silici en aplicacions d'alta tensió, alta temperatura i alta potència.
La tecnologia SiC evoluciona contínuament i té el potencial de revolucionar diverses indústries permetent sistemes electrònics de potència més eficients, compactes i fiables.
Preguntes freqüents
Q: IEl preu és negociable?
R: Sí, si teniu cap pregunta, no dubteu a contactar amb nosaltres. Farem tot el possible per donar suport als clients que volen expandir el mercat.
Q: Ci proporcioneu mostres gratuïtes?
R: Sí, podem oferir mostres gratuïtes.
Q: Ci utilitzeu les nostres especificacions per produir els vostres productes? Si s'admeten productes personalitzats?
R: Sí, si podeu satisfer la nostra quantitat mínima de comanda, les especificacions del producte es poden personalitzar.
P: Sou fabricant?
R: Sí, som un fabricant situat a la ciutat d'Anyang, província de Henan.
Etiquetes populars: carbur de silici sobre un semiconductor de banda ampla
Enviar la consulta
Potser també t'agrada